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Defects and positron states in Compound Semiconductors

Name: Defects and positron states in Compound Semiconductors
Brand: LAP Lambert Academic Publishing
SKU: 13709330
Price: 55.09 EUR
Availability: InStock
Author: Sandip Pan
ISBN: 9783659928383

Sandip Pan

Idioma

Inglés

Libro Tapa blanda

Código Libristo: 13709330

Editores LAP Lambert Academic Publishing, noviembre 2015

Four different application oriented III-V compound semiconductors have been selected for investigati... Descripción completa

Código Libristo: 13709330

135 b

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Four different application oriented III-V compound semiconductors have been selected for investigation using Positron annihilation spectroscopy (PAS) techniques. First one is Fe-doped semi-insulating Indium Phosphide. Positron annihilation lifetime spectroscopy (PALS) and Doppler broadening annihilation radiation (DBAR) measurements have been done in 140 MeV O(6+) ion implanted Fe-doped semi-insulating InP sample to observe irradiation induced defects formation and recovery of those defects with annealing temperature. Second, third & last samples are undoped Indium Antimonide, undoped Indium Phosphide & n-type Gallium Arsenide. PALS & DBAR measurements have been carried out in 40 MeV alpha irradiated undoped InSb, undoped InP and n-type GaAs samples to observe irradiation induced defects formation and recovery of those defects with annealing temperature respectively.