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Design, Modelling and Application of the IGBT

Idioma InglésInglés
Libro Tapa blanda
Libro Design, Modelling and Application of the IGBT Kuang Sheng
Código Libristo: 06826710
Editores VDM Verlag, octubre 2010
Power semiconductor devices are critical components within power electronics technology. In this the... Descripción completa
? points 180 b
73.49 €
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Power semiconductor devices are critical components within power electronics technology. In this thesis, physical operating mechanisms of conventional IGBT structures are analyzed, designed and optimized. Conductivity modulation is studied in detail. A new composite model possessing fast computational speed and reasonable accuracy is proposed. Effects of the two-dimensional IGBT structure on its electrical characteristics are analyzed. A model accounting for these effects is proposed, verified and found to be useful in both device structure design and circuit simulation. In addition, IGBT models in the literature are reviewed, classified, analyzed and compared. IGBT modelling requirements, problems and trends are discussed. The thesis also studied IGBT application problems including off-state negative gate bias requirements and the usage of turn-on snubbers. Electrical/thermal/failure behavioural differences between PT IGBTs and NPT IGBTs are studied.

Actriz & Políglota
EWA KASP para
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Ewa Kasp
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Sobre el libro

Nombre y apellidos Design, Modelling and Application of the IGBT
Autor Kuang Sheng
Idioma Inglés
Encuadernación Libro - Tapa blanda
Fecha de publicación 2010
Número de páginas 196
EAN 9783639185522
ISBN 3639185528
Código Libristo 06826710
Editores VDM Verlag
Peso 295
Dimensiones 152 x 229 x 11

Categorías

Tecnología, ingeniería, agricultura, procedimientos industriales > Tecnología e ingeniería energética > Ingeniería eléctrica
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