Envío gratis a partir de 69,99 euros.

«Comprobar estado del pedido»

Entre a formar parte de una comunidad de amantes de los libros del mundo entero y acceda a un sinfín de ventajas. Crear una cuenta gratis

Envío gratuito con Zásilkovna para compras superiores a 59.99 €

Mensajería SEUR 4.99 € Mensajería GLS 7.99 € Mensajería Correos 5.49 € Mensajería DHL 5.49 € Punto SEUR 3.99 €

Contacto

Cómo comprar

Ayuda

Mi cuenta

▸ Vacío :-(

Envío gratis a partir de 69,99 euros.

Etude Ab-Initio de la Surface Du Cdte

Name: Etude Ab-Initio de la Surface Du Cdte
Brand: Omniscriptum
SKU: 07180432
Price: 64.89 EUR
Availability: InStock
Author: Benali Rerbal
ISBN: 9783841737427

Benali Rerbal

Ghouti Merad

Henri Mariette

Idioma

Francés

Libro Tapa blanda

Código Libristo: 07180432

Editores Omniscriptum, febrero 2018

Les hétéro-structures des semiconducteurs III-V montrent sous certaines conditions de croissance une... Descripción completa

Código Libristo: 07180432

159 b

64.89 €

Almacenamiento externo Envío en 8-11 días

Hasta 30 días para devoluciones

Clientes que también han comprado

Tre Donne Bruno Sperani

Tapa blanda

14.89 €

Nationalism and Global Solidarities James Goodman

Tapa dura

242.59 €

Public Sector Ethics

Tapa blanda

51.89 €

Job Stress: antecedents and outcomes Mustafa Daskin

Tapa blanda

48.29 €

Etnobotanica de Plantas Silvestres En Mercados Tradicionales Gladys Isabel Manzanero Medina

Tapa blanda

28.69 €

La mia fuga dai Piombi di Venezia Giacomo Casanova

Tapa blanda

18.09 €

The Feedback Blueprint Tenia Davis PhD

Tapa blanda

16.49 €

Multimodality, Ideology and Manipulation Jacopo Castaldi

Tapa dura

215.89 €

Les hétéro-structures des semiconducteurs III-V montrent sous certaines conditions de croissance une transition Stranski-Krastanov 2D-3D, qui est due au désaccord de maille entre les deux matériaux. Pour les II-VI tel que CdTe/ZnTe, ceci est beaucoup moins évident malgré le désaccord de maille; une transition plastique apparaît aux dépends de la transition élastique 3D. Cependant, par un procédé de croissance, qui consiste ŕ recouvrir les couches 2D fortement contraintes de CdTe par des couches minces de Tellure amorphe, va favoriser l'apparition des boites quantiques. Ceci est dű au fait que la surface du CdTe riche en Te, va avoir une énergie de surface plus importante et donc un coűt en énergie de surface des facettes d'îlots 3D plus petit. Ceci peut ętre décrit par des calculs de type ab-initio qui consiste ŕ calculer les énergies de surface du CdTe en fonction des taux de couverture en atomes de Te et de Cd.