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Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Design

Idioma InglésInglés
Libro Tapa blanda
Libro Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Design Koichiro Ishibashi
Código Libristo: 02097985
The recent development of advanced semiconductor device technologies is due to the success of SRAM m... Descripción completa
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The recent development of advanced semiconductor device technologies is due to the success of SRAM memory cells. This book addresses issues in the design of SRAM memory cells for advanced CMOS technology, including variability, leakage and reliability.

Actriz & Políglota
EWA KASP para
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Ewa Kasp
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Sobre el libro

Nombre y apellidos Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Design
Idioma Inglés
Encuadernación Libro - Tapa blanda
Fecha de publicación 2013
Número de páginas 144
EAN 9783642270185
ISBN 3642270182
Código Libristo 02097985
Peso 248
Dimensiones 155 x 235 x 9
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