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Silicon Non-Volatile Memories

Paths of Innovation

Idioma InglésInglés
Libro Tapa dura
Libro Silicon Non-Volatile Memories Barbara De Salvo
Código Libristo: 05103556
Editores ISTE Ltd and John Wiley & Sons Inc, agosto 2009
This book provides a comprehensive overview of the different technological approaches currently bein... Descripción completa
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This book provides a comprehensive overview of the different technological approaches currently being studied to fulfill future memory requirements. Two main research paths are identified and discussed. Different "evolutionary paths" based on new materials and new transistor structures are investigated to extend classical floating gate technology to the 32 nm node. "Disruptive paths" are also covered, addressing 22 nm and smaller IC generations. Finally, the main factors at the origin of these phenomena are identified and analyzed, providing pointers on future research activities and developments in this area.

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Sobre el libro

Nombre y apellidos Silicon Non-Volatile Memories
Autor Barbara De Salvo
Idioma Inglés
Encuadernación Libro - Tapa dura
Fecha de publicación 2009
Número de páginas 246
EAN 9781848211056
ISBN 1848211058
Código Libristo 05103556
Editores ISTE Ltd and John Wiley & Sons Inc
Peso 520
Dimensiones 240 x 166 x 20

Categorías

Tecnología, ingeniería, agricultura, procedimientos industriales > Ingeniería electrónica y de las comunicaciones > Ingeniería electrónica > Dispositivos y materiales electrónicos
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