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Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices

Name: Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-based MOS Devices
Brand: Springer-Verlag Berlin and Heidelberg GmbH & Co. KG
SKU: 20094506
Price: 56.59 EUR
Availability: InStock
Author: Zhiqiang Li
ISBN: 9783662570265

Zhiqiang Li

Idioma

Inglés

Libro Tapa blanda

Código Libristo: 20094506

Editores Springer-Verlag Berlin and Heidelberg GmbH & Co. KG, junio 2018

This book mainly focuses on reducing the high parasitic resistance in the source/drain of germanium... Descripción completa

Código Libristo: 20094506

139 b

56.59 €

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This book mainly focuses on reducing the high parasitic resistance in the source/drain of germanium nMOSFET. With adopting of the Implantation After Germanide (IAG) technique, P and Sb co-implantation technique and Multiple Implantation and Multiple Annealing (MIMA) technique, the electron Schottky barrier height of NiGe/Ge contact is modulated to 0.1eV, the thermal stability of NiGe is improved to 600 and the contact resistivity of metal/n-Ge contact is drastically reduced to 3.8×10-7 -cm2, respectively. Besides, a reduced source/drain parasitic resistance is demonstrated in the fabricated Ge nMOSFET. Readers will find useful information about the source/drain engineering technique for high-performance CMOS devices at future technology node.